关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-26 实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。 实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。 答案： 查看 举一反三 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？ 什么是掺杂？硅半导体工艺中采用何种工艺实现掺杂？它们的基本原理是什么？ 在MEMS中,掺杂工艺主要有扩散和离子注入两种方式,以下哪些是扩散掺杂的特点() A: 设备简单、成本低 B: 大批量 C: 是高温工艺,不能直接用光刻胶图形作为掩模 D: 掺杂浓度和深度不能精确控制 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂浓度。 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂区域。
