关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 在MEMS中,掺杂工艺主要有扩散和离子注入两种方式,以下哪些是扩散掺杂的特点() A: 设备简单、成本低 B: 大批量 C: 是高温工艺,不能直接用光刻胶图形作为掩模 D: 掺杂浓度和深度不能精确控制 在MEMS中,掺杂工艺主要有扩散和离子注入两种方式,以下哪些是扩散掺杂的特点()A: 设备简单、成本低B: 大批量C: 是高温工艺,不能直接用光刻胶图形作为掩模D: 掺杂浓度和深度不能精确控制 答案： 查看 举一反三 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂浓度。 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂区域。 实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。 离子注入有下面哪种特点： A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度 B: 掺杂可控性好于扩散 C: 工艺方法简单、成本低 D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
