光刻工艺所需要的三要素为()
A: 光源、光刻胶和掩模版
B: 光刻胶、掩模版和光刻机
C: 光源、掩模版和超净间
D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
A: 光源、光刻胶和掩模版
B: 光刻胶、掩模版和光刻机
C: 光源、掩模版和超净间
D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
举一反三
- 光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
- 光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
- 以下各项中不属于光刻工艺三要素的是： 。 A: 光刻胶 B: 显影液 C: 曝光机 D: 掩模版
- 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
- 课程中讲到光刻工艺有三个要素,它们分别是() A: 光刻胶 B: 光刻掩膜板 C: 光刻机 D: 硅片