光刻的分辨率是光刻工艺、光刻机等重要的指标，提高光刻系统图形加工分辨率可以采用的方法有( ) A: 采用合适的设备如数值孔径更大的光刻机 B: 利用直径足够大的晶圆片 C: 采用相移掩膜 D: X-ray光刻
光刻的分辨率是光刻工艺、光刻机等重要的指标，提高光刻系统图形加工分辨率可以采用的方法有( ) A: 采用合适的设备如数值孔径更大的光刻机 B: 利用直径足够大的晶圆片 C: 采用相移掩膜 D: X-ray光刻
课程中讲到光刻工艺有三个要素,它们分别是() A: 光刻胶 B: 光刻掩膜板 C: 光刻机 D: 硅片
课程中讲到光刻工艺有三个要素,它们分别是() A: 光刻胶 B: 光刻掩膜板 C: 光刻机 D: 硅片
下列选项中，哪一项不属于光刻三要素（） A: 显影 B: 掩膜版 C: 光刻机 D: 光刻胶
下列选项中，哪一项不属于光刻三要素（） A: 显影 B: 掩膜版 C: 光刻机 D: 光刻胶
目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。利用EUV光源进行光刻相较于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因为EUV的能量更小。 （ ）
目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。利用EUV光源进行光刻相较于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因为EUV的能量更小。 （ ）
光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还可以通过提升介质的介电常数实现。 （ ）
目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还可以通过提升介质的介电常数实现。 （ ）
浸润式光刻技术通过在光学镜头和带胶硅片之间填充水的方式提高了光刻机的分辨率，填充的水中有气泡并不影响光刻结果 A: 正确 B: 错误
浸润式光刻技术通过在光学镜头和带胶硅片之间填充水的方式提高了光刻机的分辨率，填充的水中有气泡并不影响光刻结果 A: 正确 B: 错误
光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
在传统光刻机的光学镜头与晶圆之间的介质可用水替代空气,以缩短曝光光源波长和增大镜头的数值孔径,从而提高分辨率,这种光刻技术是: A: 极紫外光光刻 B: 电子束光刻 C: 离子束光刻 D: 浸润式光刻
在传统光刻机的光学镜头与晶圆之间的介质可用水替代空气,以缩短曝光光源波长和增大镜头的数值孔径,从而提高分辨率,这种光刻技术是: A: 极紫外光光刻 B: 电子束光刻 C: 离子束光刻 D: 浸润式光刻
现有一台K1为0.48，数值孔径（NA）为0.62，使用i线（波长365nm）曝光的光刻机，那么它的分辨率是______ nm，______ （能/不能）使用它光刻最小线宽为200nm的图形；如果将该光刻机光源改为KrF准分子激光（波长为248nm），那么______ （能/不能）使用它光刻最小线宽为200nm的图形。
现有一台K1为0.48，数值孔径（NA）为0.62，使用i线（波长365nm）曝光的光刻机，那么它的分辨率是______ nm，______ （能/不能）使用它光刻最小线宽为200nm的图形；如果将该光刻机光源改为KrF准分子激光（波长为248nm），那么______ （能/不能）使用它光刻最小线宽为200nm的图形。