中国大学MOOC: 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？
举一反三
- 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31 min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 计算：一扩散工艺，在进行了54min扩散后，测得结深是2.38μm，若要获得2.5μm的结深，在不改变工艺方法和工艺温度的情况下，应再扩散 ______ 分钟。
- 进行限定源扩散，在扩散40min后，测得结深是2.1μm，若要获得2.3μm的结深，还约扩散 min。（结深加深不大，可忽略表面浓度变化）（计算结果保留到个位）
- 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。