进行限定源扩散,在扩散40min后,测得结深是2.1μm,若要获得2.3μm的结深,还约扩散 min。(结深加深不大,可忽略表面浓度变化)(计算结果保留到个位)
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举一反三
- 硅恒定源扩散,在扩散温度硅的固溶度为Ns,在进行了40min扩散后,测得结深是1.5μm,若要获得2.0μm的结深,在原工艺基础上应再扩散多少分钟?硅表面杂质浓度是多少? A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度; C: 应再扩散31 min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 中国大学MOOC: 硅恒定源扩散,在扩散温度硅的固溶度为Ns,在进行了40min扩散后,测得结深是1.5μm,若要获得2.0μm的结深,在原工艺基础上应再扩散多少分钟?硅表面杂质浓度是多少?
- 硅恒定源扩散,在扩散温度硅的固溶度为Ns,在进行了40min扩散后,测得结深是1.5μm,若要获得2.0μm的结深,在原工艺基础上应再扩散多少分钟?硅表面杂质浓度是多少? A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度; C: 应再扩散31min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 计算:一扩散工艺,在进行了54min扩散后,测得结深是2.38μm,若要获得2.5μm的结深,在不改变工艺方法和工艺温度的情况下,应再扩散 ______ 分钟。
- 下面哪个选项不是扩散的工艺参数?( ) A: 杂质的分布 B: 横向分布浓度 C: 表面浓度 D: 结深
内容
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根据结深的计算公式,可以得出扩散过程,影响结深的因素有: A: 表面浓度与衬底浓度的比值 B: 预淀积或是再分布 C: 扩散系数 D: 时间
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中国大学MOOC: 扩散结深的测量方法
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在研究扩散规律中,非常重要的一个参数是 A: 扩散系数 B: 方块电阻 C: 结深 D: 表面浓度
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热扩散工艺中扩散结深通常采用()和()两种方法进行测量。
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表征一个硅片的扩散效果,主要通过()。两者的综合表现就决定了扩散方块电阻。 A: 电压 B: 结深 C: 表面掺杂浓度 D: 电流