硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？
A: 应再扩散71min
B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度；
C: 应再扩散31min
D: 杂质表面浓度=Ns
E: 杂质表面浓度
A: 应再扩散71min
B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度；
C: 应再扩散31min
D: 杂质表面浓度=Ns
E: 杂质表面浓度
举一反三
- 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 中国大学MOOC: 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？
- 杂质在硅中扩散主要采用两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散，下面对其叙述正确的有 A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。 B: 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结 C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。 D: 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
- 进行限定源扩散，在扩散40min后，测得结深是2.1μm，若要获得2.3μm的结深，还约扩散 min。（结深加深不大，可忽略表面浓度变化）（计算结果保留到个位）
- 计算：一扩散工艺，在进行了54min扩散后，测得结深是2.38μm，若要获得2.5μm的结深，在不改变工艺方法和工艺温度的情况下，应再扩散 ______ 分钟。