硅恒定源扩散,在扩散温度硅的固溶度为Ns,在进行了40min扩散后,测得结深是1.5μm,若要获得2.0μm的结深,在原工艺基础上应再扩散多少分钟?硅表面杂质浓度是多少?
A: 应再扩散71min
B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度;
C: 应再扩散31 min
D: 杂质表面浓度=Ns
E: 杂质表面浓度<Ns
A: 应再扩散71min
B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度;
C: 应再扩散31 min
D: 杂质表面浓度=Ns
E: 杂质表面浓度<Ns
B,C,D
举一反三
- 硅恒定源扩散,在扩散温度硅的固溶度为Ns,在进行了40min扩散后,测得结深是1.5μm,若要获得2.0μm的结深,在原工艺基础上应再扩散多少分钟?硅表面杂质浓度是多少? A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度; C: 应再扩散31min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 中国大学MOOC: 硅恒定源扩散,在扩散温度硅的固溶度为Ns,在进行了40min扩散后,测得结深是1.5μm,若要获得2.0μm的结深,在原工艺基础上应再扩散多少分钟?硅表面杂质浓度是多少?
- 杂质在硅中扩散主要采用两种方式:恒定表面源扩散和限定表面源扩散,下面对其叙述正确的有 A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中,杂质扩散到硅表面很薄的表层。 B: 恒定表面源扩散特点:可控制表面浓度和扩散探度,但不能任意控制杂质总量,因而难以制作出高表面浓度的浅结 C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下,杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q,扩散过程中Q为常量,依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。 D: 限定表面源扩散特点:控制杂质总量和扩散深度,但不能任意控制表面浓度,难以制作出低表面浓度的深结
- 进行限定源扩散,在扩散40min后,测得结深是2.1μm,若要获得2.3μm的结深,还约扩散 min。(结深加深不大,可忽略表面浓度变化)(计算结果保留到个位)
- 计算:一扩散工艺,在进行了54min扩散后,测得结深是2.38μm,若要获得2.5μm的结深,在不改变工艺方法和工艺温度的情况下,应再扩散 ______ 分钟。
内容
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离子注入有下面哪种特点: A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度 B: 掺杂可控性好于扩散 C: 工艺方法简单、成本低 D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
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下面哪个选项不是扩散的工艺参数?( ) A: 杂质的分布 B: 横向分布浓度 C: 表面浓度 D: 结深
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在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()
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遵循在扩散过程中外界始终提供杂质源,硅片表面浓度恒定规律的扩散方法称之为()。 A: 有限源表面扩散 B: 两步扩散法(包括预扩散和住扩散) C: 恒定源表面扩散 D: 自由式扩散
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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。