下面哪个选项不是扩散的工艺参数？（ ）
A: 杂质的分布
B: 横向分布浓度
C: 表面浓度
D: 结深
A: 杂质的分布
B: 横向分布浓度
C: 表面浓度
D: 结深
举一反三
- 根据结深的计算公式,可以得出扩散过程,影响结深的因素有: A: 表面浓度与衬底浓度的比值 B: 预淀积或是再分布 C: 扩散系数 D: 时间
- 有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
- 以下不是扩散工艺的重要参数是： 。 A: 表面浓度 B: 杂质类型 C: 结深 D: 掺入杂质总量
- 离子注入有下面哪种特点： A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度 B: 掺杂可控性好于扩散 C: 工艺方法简单、成本低 D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
- 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31 min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns