热扩散工艺的结深主要受温度、时间、气体流量等因素影响，其中 影响最大。
A: 工艺温度
B: 工艺时间
C: 气体流量
D: 掺杂浓度
A: 工艺温度
B: 工艺时间
C: 气体流量
D: 掺杂浓度
A
举一反三
- 扩散工艺的结深主要受温度、时间、流量的影响, 影响最大。 A: 温度 B: 时间 C: 流量 D: 方块电阻
- 在杂质半导体中,多子的浓度则受()的影响最大 A: 温度 B: 掺杂浓度 C: 掺杂工艺 D: 晶体缺陷
- 影响扩散的主要因素有（） A: 扩散时间 B: 扩散温度 C: 扩散气体流量 D: 以上均是
- 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度，温度 B: 掺杂工艺，温度 C: 晶体缺陷，掺杂浓度 D: 掺杂工艺，掺杂浓度
- 计算：一扩散工艺，在进行了54min扩散后，测得结深是2.38μm，若要获得2.5μm的结深，在不改变工艺方法和工艺温度的情况下，应再扩散 ______ 分钟。
内容
- 0
影响可纺性的工艺因素有()。 A: 凝固浴温度、浓度、流量 B: 原液性能 C: 二浴温度 D: 预热浴温度
- 1
在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 压力
- 2
在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大 A: 温度 B: 晶体缺陷 C: 掺杂工艺 D: 掺杂浓度
- 3
在掺杂半导体中,少数载流子的浓度受((_____))()( )的影响很大。 A: 压力 B: 掺杂浓度 C: 掺杂工艺 D: 温度
- 4
渗碳工艺参数主要包括（ ） A: 渗碳时间 B: 渗碳温度 C: 电参数 D: 渗碳剂流量