一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×10^15cm^-3。当氧化层厚度为0.1微米时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2微米时的阈值电压为V
举一反三
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为http://img1.ph.126.net/kavNlwpgsOMjxWwCnnGRYA==/6632397075260729839.png。当氧化层厚度为http://img1.ph.126.net/f7mTar_0M6x4Ms3EBxEQaw==/2593510435431633043.png时，阈值电压为http://img0.ph.126.net/VEG_1tls-6S7YEhEEcWedw==/6632540011772333640.png，则当氧化层厚度为http://img0.ph.126.net/Y1MihiSwzZZAKeok1ACJnA==/3084121319838285336.png时的阈值电压为( )http://img0.ph.126.net/nyaDreXh2hBEAbxTbVRPZg==/2593791910408322877.png。
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803c7aa030c30c.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa0c1d378.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803c7aa1447bed.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa1d6504c.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803c7aa25de3f4.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1802f7f9b13da81.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9b9b939d.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1802f7f9c1f359f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9ca8d221.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1802f7f9d35a265.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803b2f69428867.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f69cb4857.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803b2f6a46b08f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f6ad46aa8.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803b2f6b4f9225.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]180357639045026.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]180357639a86422.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]18035763a2319ad.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]18035763aa909ac.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]18035763b2e2281.png[/img]。 A: [img=23x18]18035763bbdd94a.png[/img] B: [img=23x18]18035763c493e1f.png[/img] C: [img=23x18]18035763cd032e6.png[/img] D: [img=32x18]18035763d553546.png[/img]