• 2022-06-05
    把[tex=0.643x1.0]WUJ/JHItsc3Bqx1WYNJcrg==[/tex]原子扩散到单晶硅中的掺杂工艺是制备[tex=0.643x0.786]/he/ol8BkDuTTL9yMPtH4Q==[/tex]型半导体的常用方法。若将原来的每[tex=1.429x1.214]AvG2UqWwwz4MnNqYtgzlow==[/tex] 个[tex=1.0x1.0]dlbKbfq4uTd05GXGInx1IQ==[/tex] 原子中含有一个 [tex=0.643x1.0]WUJ/JHItsc3Bqx1WYNJcrg==[/tex]原子的 [tex=2.286x1.0]6SVAANjQ6nAJb6CK1u98QQ==[/tex] 厚的硅片, 通过扩散掺杂处理后表面达到每[tex=2.357x1.214]rfl5YxY3e6WUF//2FWFREQ==[/tex] 原子中含有[tex=1.5x1.0]K/MYR4eemny/DiOUF4fYsg==[/tex] 个[tex=0.786x1.286]dSWbQCTjdbLxKy7q0ps2gg==[/tex]原子, 试分别按: 原子百分数[tex=1.857x1.357]FSoJgtPOGP31bMHC5Y+Jcg==[/tex] 
  • 举一反三