曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
举一反三
- 光刻工艺流程一共可分为七大步骤，其中曝光之后的工艺是 。 A: 前烘 B: 后烘 C: 显影 D: 刻蚀
- ① 光刻胶根据曝光与否与能否去除做的分类是什么？ A: 、正光刻胶，负光刻胶 B: 、g线，i线 C: 、正光刻胶，g线 D: 、正光刻胶，i线
- 光刻流程中通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面，并可 以増加胶层的抗刻蚀能力的工艺步骤是（）。 A: 坚膜 B: 前烘 C: 后烘 D: 涂胶
- 光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
- 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？