中国大学MOOC: 利用一定的化学试剂将经过曝光后的可溶性的光刻胶溶解掉，从而在光刻胶上显示出掩膜版相对应的图形，该工序称为
显影
举一反三
- 利用一定的化学试剂将经过曝光后的可溶性的光刻胶溶解掉，从而在光刻胶上显示出掩膜版相对应的图形，该工序称为： 。 A: 涂胶 B: 曝光 C: 显影 D: 刻蚀
- 7、曝光后变为可溶物质的光刻胶称为______ 光刻胶，经显影后的光刻胶图形与掩膜版图形______ ；曝光后变得不可溶的光刻胶称为______ 光刻胶，经显影后的光刻胶图形与掩膜版图形______ 。
- 光刻技术的三大要素是 A: 曝光机 B: 掩膜版 C: 光刻胶 D: 显影液
- 光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
- 以下各项不属于光刻工艺三要素是: A: 光刻胶 B: 显影液 C: 曝光机 D: 掩膜版
内容
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中国大学MOOC: 掩膜版和光刻胶之间留有一定的缝隙用于提高掩膜版的使用寿命，该曝光方式是
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光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
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中国大学MOOC: 将曝光后的硅片放入某种化学溶液后，部分光刻胶去除，该工序称为
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在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。 A: 薄膜制备 B: 光刻 C: 刻蚀 D: 金属化
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中国大学MOOC: 在集成电路中，将掩膜版上的图形转移到光刻胶上的图形化工艺是