计算下列极限：[tex=6.929x1.643]MqOfsQLAB/zeVSdv1WggGOQsXdnKKEKQCPRvEtD8EanmNMgK4OYk2bRfl5HlUDYgC6kRPYbGEHljRckUWV3VxA==[/tex]；

计算下列曲面积分:[tex=8.929x3.786]3lAgVeeQI/2JUAroCtGsk8Xv9Oxz7w8ldvWJB3dWOjzuHCvPRKRhEZEAeUJX7FGaXbsv+w8FyZX0dq/JGDPGGg==[/tex],[tex=1.429x1.357]cbTPXNJotNNiLgMh1ROgvQ==[/tex]是上半球面[tex=6.929x1.643]Wxv2D0c7xxE6XpVDsnRH/h9C1rainPdfschWNnoESLk=[/tex]

设[tex=3.857x1.357]bBvsyfWYlvkejjSdgW5TJuNyn69ipGgrF4AV1pELJ5c=[/tex]具有连续偏导数，且[tex=6.929x1.643]uxtBgGsmyvbLTT4SyOI+21I78SvKDSWjBnPUH7DRJuNqTNEz5pH8FfWKokYDXhmH[/tex]。进一步，设k为正整数，[tex=3.857x1.357]m4iTYnoZkPcnYuG8+OShtQ==[/tex]为k次齐次函数，即对于任意的实数t和( x , y , z )，成立[tex=10.357x1.5]eK59eeG60DZ533CUT6/tVoIlwYKJRrPpSWto1Vmw6GA1URwdmMx+98p6HgYkWLmW[/tex]。

某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev，则该晶体在1200K时的空位浓度为（ ）。 A: 1.179×10-17 B: 1.643×10-17 C: 2.699×10-17 D: 4.435×10-17

求 [tex=6.643x1.357]lBXXZYMMrxJ2+/5vAU9EveuCUGC7idFoCcnB5gP3/a+fFy5aEetdIV19+G/AHykW[/tex] 其中  [tex=6.929x1.643]PotqHspab5K47uxBX8naLhh8RkzWkccOoHuAOvS8oM8=[/tex]当 [tex=1.786x1.357]g9AL+3L6kP+HWmfiTEuFHw==[/tex]等于什么时, [tex=7.643x1.357]lBXXZYMMrxJ2+/5vAU9EveuCUGC7idFoCcnB5gP3/a809lw9aPY6tVu04+ERU74p[/tex] ? 

下列变量组（）是一个闭回路。 A: {x，x，x，x，x，x} B: {x，x，x，x，x} C: {x，x，x，x，x，x} D: {x，x，x，x，x，x}

以下谓词蕴含式正确的是（）: (∀x) (A(x)→B(x))=>( ∀x)A(x)→(∀x)B(x)|(∀x) (A(x)↔B(x))=>( ∀x)A(x)↔(∀x)B(x)|(∀x)A(x)∨(∀x)B(x)=>( ∀x) (A(x)∨B(x))|(∃x) (A(x)∧B(x))=>(∃x)A(x)∧(∃x)B(x)

以下谓词蕴含式正确的是（）: (?x) (A(x)→B(x))=>( ?x)A(x)→(?x)B(x)|(?x) (A(x)?B(x))=>( ?x)A(x)?(?x)B(x)|(?x)A(x)∨(?x)B(x)=>( ?x) (A(x)∨B(x))|(?x) (A(x)∧B(x))=>(?x)A(x)∧(?x)B(x)

下列式中错误的是： A: (∀x)(A(x)Úp(x)) Û (∀x)A(x)Ú (∀x)p(x) B: ($x)A(x) Ù p Û ($x)(A(x) Ù p ) C: (∀x)(A(x)ÚB(x)) Þ (∀x)A(x)Ú( ∀x)B(x) D: ($x)(A(x)ÙB(x)) Þ ($x)A(x)Ù( $x)B(x)

判断下列推证是否正确。 (∀x)(A(x)→B(x))⇔(∀x)(￢A(x)∨B(x)) ⇔(∀x)￢( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢(∃x) ( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢( (∃x)A(x)∧(∃x)￢B(x) ) ⇔￢(∃x)A(x)∨￢(∃x)￢B(x) ⇔￢(∃x)A(x)∨(∀x)B(x) ⇔(∃x)A(x)→(∀x)B(x)