图示工件大孔作为程序原点，则其它各孔中心位置为（）。 A:  X1=27.713，X2=10.154  Y1=16，Y2=20.952 B:  X1=27.713，X2=10.143，Y1=16，Y2=21.751 C:  X1=27.713，X2=10.143，Y1=16，Y2=20.952 D:  X1=27.713，X2=10.143，Y1=15.9，Y2=21.751

计算 [tex=15.0x1.571]akwaHi43jRr0T8wQcki9W4wFnp2k1rEfXk5qlkzZ7GVPPLODUSFtkLm4u/paAKSAdvwNQDLSdm8MH3iIbjuwqw==[/tex] 证明[tex=10.143x1.571]qTjHCePeYwlsYWcgl/VYHKDYPoXWQCWjS8IbicL9K3qppmgMKMrEksYZpU9mC2Zi[/tex]

根据下列配离子的磁矩实验值,应用价键理论讨论配离子的形成过程及空间几何构型。[tex=10.143x1.571]Aj+M3UxecVWwdCgqeSjTLt1oAwmXXpp6YuXnCIt/lldiu7FWpeuoZQvtEKO92f9tU1PBzF+fSxODR2xQuHBw1g==[/tex]

验证 [tex=2.857x1.5]BhB9/k5ZqvA+/yq3QXdcAcdaxAfRxGjnlmF7H32Q/b8=[/tex] 和 [tex=3.429x1.5]fUZG/RBkJHythYgU3Ffqix4UynVOGc2UI22mWlvOKbk=[/tex] 都是方程 [tex=10.143x1.571]RmT58gtMv+GsEzg9Iy57CkmjQKbVivSlB7PpdoUeBwYiKDQaguRv8lUddYCiYfv/EWs/7iRMn9gt9UB7mBWtpg==[/tex] 的解,并写出该方程的通解.

已知[tex=2.786x1.5]3zqodJz9Tm0JM6xbxz8YqqURSWu1xyTTxZs3KtwufjI=[/tex]及[tex=3.357x1.5]vEINs3UcLgo7hE1ZP/3BXsW9akQuy3k5GXPESfejk1E=[/tex]都是微分方程[tex=10.143x1.571]eE9dXkpN2effVrNkAbXJmN9OF3JLhh0YBLyFxvdjqMwIhWsZJhZf8UvBD6F1oHKupSisxnf0l1HWYiarRG5RKQ==[/tex]的解，则此方程的通解为[input=type:blank,size:6][/input].

下列变量组（）是一个闭回路。 A: {x，x，x，x，x，x} B: {x，x，x，x，x} C: {x，x，x，x，x，x} D: {x，x，x，x，x，x}

以下谓词蕴含式正确的是（）: (∀x) (A(x)→B(x))=>( ∀x)A(x)→(∀x)B(x)|(∀x) (A(x)↔B(x))=>( ∀x)A(x)↔(∀x)B(x)|(∀x)A(x)∨(∀x)B(x)=>( ∀x) (A(x)∨B(x))|(∃x) (A(x)∧B(x))=>(∃x)A(x)∧(∃x)B(x)

以下谓词蕴含式正确的是（）: (?x) (A(x)→B(x))=>( ?x)A(x)→(?x)B(x)|(?x) (A(x)?B(x))=>( ?x)A(x)?(?x)B(x)|(?x)A(x)∨(?x)B(x)=>( ?x) (A(x)∨B(x))|(?x) (A(x)∧B(x))=>(?x)A(x)∧(?x)B(x)

下列式中错误的是： A: (∀x)(A(x)Úp(x)) Û (∀x)A(x)Ú (∀x)p(x) B: ($x)A(x) Ù p Û ($x)(A(x) Ù p ) C: (∀x)(A(x)ÚB(x)) Þ (∀x)A(x)Ú( ∀x)B(x) D: ($x)(A(x)ÙB(x)) Þ ($x)A(x)Ù( $x)B(x)

判断下列推证是否正确。 (∀x)(A(x)→B(x))⇔(∀x)(￢A(x)∨B(x)) ⇔(∀x)￢( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢(∃x) ( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢( (∃x)A(x)∧(∃x)￢B(x) ) ⇔￢(∃x)A(x)∨￢(∃x)￢B(x) ⇔￢(∃x)A(x)∨(∀x)B(x) ⇔(∃x)A(x)→(∀x)B(x)