求函数 [tex=5.786x1.643]wyIZoKZPebPDMsT9Vyfv3asTwexMZCnezcS7LDEujK4=[/tex]的单调区间

求函数[tex=5.786x1.643]Hx7kqS9HmoOnHSkUJulb5nMJgVi2/YmeKofOLcqZw7Q=[/tex]的凹凸区间及抛点.

求函数[tex=5.786x1.643]Hx7kqS9HmoOnHSkUJulb5mMxxc8bCOZtnTNpiP1pvw8=[/tex]在[tex=3.786x1.357]QHMIeo1f5kuym6LZldh/Mw==[/tex]上的最大值、最小值。

某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev，则该晶体在1200K时的空位浓度为（ ）。 A: 1.179×10-17 B: 1.643×10-17 C: 2.699×10-17 D: 4.435×10-17

设[tex=4.786x1.214]PjtRFRL7Sy94PtSENeLoqg==[/tex](1) 证明它满足方程[tex=5.786x1.643]6jV4hMVdT6/sjY51fXWSf9Jwq1SjXVPi2Xe6XJ0/gHM=[/tex][tex=6.929x1.571]fNC6tpSPgCOoQChaclEkD4iwQs5t1FwxXwbR4xocMlo=[/tex][tex=7.786x1.571]trW7pXRKoSKm5PoydaBOmxOYrgqQRWEfNtGiyXGTCZg=[/tex](2) 求[tex=3.214x2.214]X7UJcpr5wALnuq63VNMT5pYA9rtR+V5FIV1OLail3wQ=[/tex]

下列变量组（）是一个闭回路。 A: {x，x，x，x，x，x} B: {x，x，x，x，x} C: {x，x，x，x，x，x} D: {x，x，x，x，x，x}

以下谓词蕴含式正确的是（）: (∀x) (A(x)→B(x))=>( ∀x)A(x)→(∀x)B(x)|(∀x) (A(x)↔B(x))=>( ∀x)A(x)↔(∀x)B(x)|(∀x)A(x)∨(∀x)B(x)=>( ∀x) (A(x)∨B(x))|(∃x) (A(x)∧B(x))=>(∃x)A(x)∧(∃x)B(x)

以下谓词蕴含式正确的是（）: (?x) (A(x)→B(x))=>( ?x)A(x)→(?x)B(x)|(?x) (A(x)?B(x))=>( ?x)A(x)?(?x)B(x)|(?x)A(x)∨(?x)B(x)=>( ?x) (A(x)∨B(x))|(?x) (A(x)∧B(x))=>(?x)A(x)∧(?x)B(x)

下列式中错误的是： A: (∀x)(A(x)Úp(x)) Û (∀x)A(x)Ú (∀x)p(x) B: ($x)A(x) Ù p Û ($x)(A(x) Ù p ) C: (∀x)(A(x)ÚB(x)) Þ (∀x)A(x)Ú( ∀x)B(x) D: ($x)(A(x)ÙB(x)) Þ ($x)A(x)Ù( $x)B(x)

判断下列推证是否正确。 (∀x)(A(x)→B(x))⇔(∀x)(￢A(x)∨B(x)) ⇔(∀x)￢( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢(∃x) ( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢( (∃x)A(x)∧(∃x)￢B(x) ) ⇔￢(∃x)A(x)∨￢(∃x)￢B(x) ⇔￢(∃x)A(x)∨(∀x)B(x) ⇔(∃x)A(x)→(∀x)B(x)