根据结深的计算公式,可以得出扩散过程,影响结深的因素有:
A: 表面浓度与衬底浓度的比值
B: 预淀积或是再分布
C: 扩散系数
D: 时间
A: 表面浓度与衬底浓度的比值
B: 预淀积或是再分布
C: 扩散系数
D: 时间
A,B,C,D
举一反三
内容
- 0
表征一个硅片的扩散效果，主要通过（）。两者的综合表现就决定了扩散方块电阻。 A: 电压 B: 结深 C: 表面掺杂浓度 D: 电流
- 1
硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31 min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 2
硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 3
杂质以恒定的表面杂质浓度源源不断的通入,该扩散过程称为: A: 恒定源扩散 B: 预淀积 C: 有限源扩散 D: 再分布
- 4
两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的 。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散