光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。
对
举一反三
内容
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光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
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光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
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在半导体微光刻技术中最早使用的光刻胶主要是负性光刻胶。 A: 正确 B: 错误
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中国大学MOOC: 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。
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三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性