光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。 A: 正性光刻胶 B: 正性或负性光刻胶 C: 负性光刻胶 D: 电子束光刻胶
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。 A: 正性光刻胶 B: 正性或负性光刻胶 C: 负性光刻胶 D: 电子束光刻胶
光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。
光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。
光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。
光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
下列针对正性光刻胶描述正确的是() A: 曝光后,光刻胶发生了光聚合或光交联反应 B: 曝光后,光刻胶发生光降解 C: 曝光后,光刻胶的溶解度下降 D: 曝光后,光刻胶的溶解度增加
下列针对正性光刻胶描述正确的是() A: 曝光后,光刻胶发生了光聚合或光交联反应 B: 曝光后,光刻胶发生光降解 C: 曝光后,光刻胶的溶解度下降 D: 曝光后,光刻胶的溶解度增加
三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性
三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性
光刻工艺中“涂胶”的是（ ） A: 在玻璃表面涂光刻胶 B: 在边框处涂封框胶 C: 在灌注口涂封口胶 D: 在引线连接部位涂银点胶
光刻工艺中“涂胶”的是（ ） A: 在玻璃表面涂光刻胶 B: 在边框处涂封框胶 C: 在灌注口涂封口胶 D: 在引线连接部位涂银点胶