涂好胶的晶元软烘(前烘)后光刻胶膜厚将减薄。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
- 涂好胶的晶元软烘(前烘)后光刻胶膜厚将减薄。 A: 正确 B: 错误
- 光刻软烘烤(前烘)的原因有( ) A: 将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除 B: 增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好的粘附 C: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 D: 防止光刻胶沾到设备上
- 在光刻工艺中,前烘的主要目的是()。 A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分,使晶圆表面的胶固化 B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 C: 防止沾污设备 D: 增强光刻胶的粘附性
- 前烘的目的是()使胶膜中的溶剂只有初始浓度的()。从而,使胶的()性能稳定。对正胶,前烘过度会使非曝光区的胶();前烘不足,会使胶的感光度(),对比度(),线条边缘不陡直。所以,必须严格控制前烘的()和()。
- 光刻流程中通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面,并可 以増加胶层的抗刻蚀能力的工艺步骤是()。 A: 坚膜 B: 前烘 C: 后烘 D: 涂胶
内容
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光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有()、()、()、()。
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光刻工艺流程为:底膜处理→前烘→涂胶→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶 A: 正确 B: 错误
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塑炼前烘胶的目的是()
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驻波现象是光刻中反射和干涉作用的结果,可通过()予以消除。 A: 软烘 B: 曝光 C: 中烘 D: 坚膜
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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。 A: 涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶 B: 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶 C: 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶 D: 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶