涂好胶的晶元软烘（前烘）后光刻胶膜厚将减薄。
对
举一反三
- 涂好胶的晶元软烘（前烘）后光刻胶膜厚将减薄。 A: 正确 B: 错误
- 光刻软烘烤（前烘）的原因有（ ） A: 将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除 B: 增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好的粘附 C: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 D: 防止光刻胶沾到设备上
- 在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。 A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化 B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 C: 防止沾污设备 D: 增强光刻胶的粘附性
- 前烘的目的是（）使胶膜中的溶剂只有初始浓度的（）。从而，使胶的（）性能稳定。对正胶，前烘过度会使非曝光区的胶（）；前烘不足，会使胶的感光度（），对比度（），线条边缘不陡直。所以，必须严格控制前烘的（）和（）。
- 光刻流程中通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面，并可 以増加胶层的抗刻蚀能力的工艺步骤是（）。 A: 坚膜 B: 前烘 C: 后烘 D: 涂胶
内容
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光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
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塑炼前烘胶的目的是()
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驻波现象是光刻中反射和干涉作用的结果,可通过()予以消除。 A: 软烘 B: 曝光 C: 中烘 D: 坚膜
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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。 A: 涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶 B: 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶 C: 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶 D: 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
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光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。