由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
A: A刻蚀速率
B: B选择性
C: C各向同性
D: D各向异性
A: A刻蚀速率
B: B选择性
C: C各向同性
D: D各向异性
B
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举一反三
- 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。 A: A刻蚀速率 B: B选择性 C: C各向同性 D: D各向异性
- 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀
- ()的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 化学刻蚀 D: 物理刻蚀
- 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向异性。
- 中国大学MOOC: 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向异性。
内容
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中国大学MOOC: 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向异性。
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中国大学MOOC: 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向异性。
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⑰ 湿法刻蚀与干法刻蚀的比较错误的是 A: 、湿法刻蚀是各向同性的,干法刻蚀是各向异性的 B: 、湿法刻蚀由于存在侧蚀现象,不宜制作很微细的图形 C: 、干法刻蚀效果好,但工艺要求高 D: 、干法和湿法刻蚀都不存在晶体缺陷和污染等物理损伤
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下面选项中属于刻蚀的主要参数的有()等。 A: 刻蚀速率和刻蚀因子 B: 刻蚀选择比 C: 刻蚀均匀性和良好形貌 D: 各向同性与各向异性
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关于干法和湿法刻蚀说法错误的是() A: 湿法刻蚀保真度较差 B: 干法刻蚀选择性较差 C: 干法刻蚀均匀性较好 D: 干法刻蚀清洁性较好