• 2022-10-28
    用HNA溶液进行硅的各向同性湿法刻蚀时,哪些材料适合作为刻蚀掩膜?
    A: 金
    B: 铝
    C: 氮化硅
    D: 正光刻胶
  • A,C,D
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    内容

    • 0

      干法刻蚀和湿法刻蚀二者中,通常()的刻蚀选择比较高,()的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀

    • 1

      PR的意思是 A: 光刻 B: 刻蚀 C: 光刻胶 D: 增粘剂

    • 2

      由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。 A: A刻蚀速率 B: B选择性 C: C各向同性 D: D各向异性

    • 3

      下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。 A: A二氧化硅氮化硅 B: B多晶硅硅化金属 C: C单晶硅多晶硅 D: D铝铜 E: E铝硅

    • 4

      在集成电路中,将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是()。 A: 薄膜制备 B: 光刻 C: 刻蚀 D: 金属化