以下不是扩散工艺的重要参数是： 。
A: 表面浓度
B: 杂质类型
C: 结深
D: 掺入杂质总量
A: 表面浓度
B: 杂质类型
C: 结深
D: 掺入杂质总量
举一反三
- 下面哪个选项不是扩散的工艺参数？（ ） A: 杂质的分布 B: 横向分布浓度 C: 表面浓度 D: 结深
- 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31 min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 为了得到任意的表面浓度、杂质数量和结深以及满足浓度梯度等要求，需要采用哪种扩散工艺？具体实施步骤？
- 根据离子注入工艺与扩散工艺在掺杂加工中表现出各有千秋的特点，你认为( )具有可以精确控制掺入杂质总量、需要随后热处理以控制杂质浓度分布/结深达到设计要求 A: 扩散工艺 B: 离子注入工艺 C: 外延工艺 D: 快速气相激光掺杂