设[tex=4.214x1.286]gMDpsIPiruISNWPSn5QJhQ==[/tex]，求[tex=4.214x1.643]MqOfsQLAB/zeVSdv1WggGIkN6xaimRs4AupshmyBBfSISXmd5KMDKD9TTI/iK7XI[/tex]，[tex=4.214x1.643]MqOfsQLAB/zeVSdv1WggGNqL8xIJRBwMKYC8RifEVfjToeW4ar8QV7kEYJ2rTv8Y[/tex]和[tex=3.643x1.571]MqOfsQLAB/zeVSdv1WggGEPYRDxqx0o7cLh9njCuyJfgW7zrLPbPHpl94adbBvPP[/tex] .

某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev，则该晶体在1200K时的空位浓度为（ ）。 A: 1.179×10-17 B: 1.643×10-17 C: 2.699×10-17 D: 4.435×10-17

证明：曲线积分有估计式[tex=13.643x2.786]gE3/xyQY+/PN5JJ22LQZtOiIqU+EaBTkEYWCC+6tHk3jhLL0owsizCYgUr+W7SI09GyKk5D0AKdvzs7OHTDQiXD0eAOg5cAWh4lQrkKvDnM=[/tex]，其中[tex=0.714x1.0]Hl8mr56J4t0Ek5ZoqbFYYg==[/tex]为积分路径的长度，[tex=4.5x2.0]+p6C3GwYvZROoY/ydkReC6WYfuXe35votylqH6vLMw4=[/tex][tex=4.214x1.643]McrF8nInkMohFn6p3T4dc5KNU9rte+g3O5P1a6g4/FA=[/tex].

证明[tex=9.071x2.786]TSnRopBHrvYRYdV0Ib2AJFIkwNcMBB04N68ka3ZR84zcmJupNENniMATpT3qGHhz[/tex]其中[tex=0.357x1.0]5vVfAZliYwqMw8JaLE+iEA==[/tex]是曲线[tex=0.714x1.0]ravtxd2oof9d0U26ZFAIhw==[/tex]的弧长，[tex=1.0x1.0]/4LSvKfNeQWJ+IvWbbbjdA==[/tex]是[tex=4.214x1.643]Vc20i1rptRYjy+tgS/IKgcztNjxIWqRI3HbPdbXTyEk=[/tex]在[tex=0.714x1.0]ravtxd2oof9d0U26ZFAIhw==[/tex]上的最大值。

下列变量组（）是一个闭回路。 A: {x，x，x，x，x，x} B: {x，x，x，x，x} C: {x，x，x，x，x，x} D: {x，x，x，x，x，x}

以下谓词蕴含式正确的是（）: (∀x) (A(x)→B(x))=>( ∀x)A(x)→(∀x)B(x)|(∀x) (A(x)↔B(x))=>( ∀x)A(x)↔(∀x)B(x)|(∀x)A(x)∨(∀x)B(x)=>( ∀x) (A(x)∨B(x))|(∃x) (A(x)∧B(x))=>(∃x)A(x)∧(∃x)B(x)

以下谓词蕴含式正确的是（）: (?x) (A(x)→B(x))=>( ?x)A(x)→(?x)B(x)|(?x) (A(x)?B(x))=>( ?x)A(x)?(?x)B(x)|(?x)A(x)∨(?x)B(x)=>( ?x) (A(x)∨B(x))|(?x) (A(x)∧B(x))=>(?x)A(x)∧(?x)B(x)

下列式中错误的是： A: (∀x)(A(x)Úp(x)) Û (∀x)A(x)Ú (∀x)p(x) B: ($x)A(x) Ù p Û ($x)(A(x) Ù p ) C: (∀x)(A(x)ÚB(x)) Þ (∀x)A(x)Ú( ∀x)B(x) D: ($x)(A(x)ÙB(x)) Þ ($x)A(x)Ù( $x)B(x)

判断下列推证是否正确。 (∀x)(A(x)→B(x))⇔(∀x)(￢A(x)∨B(x)) ⇔(∀x)￢( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢(∃x) ( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢( (∃x)A(x)∧(∃x)￢B(x) ) ⇔￢(∃x)A(x)∨￢(∃x)￢B(x) ⇔￢(∃x)A(x)∨(∀x)B(x) ⇔(∃x)A(x)→(∀x)B(x)

以下谓词公式中，( )不是逻辑有效式。 A: ($x)(P(x)∧Q(x)) Þ ($x) P(x)∧($x) Q(x) B: ("x)(P(x)∧Q(x)) Þ ("x) P(x)∧("x) Q(x) C: ($x)(P(x)∧Q(x)) Û ($x) P(x)∧($x) Q(x) D: ("x)(P(x)∧Q(x)) Û ("x) P(x)∧("x) Q(x)