利用电子枪发射具有一定能量的电子并聚焦成电子束,打在光刻胶上,使光刻胶发生反应,改变溶解度,完成曝光的方式是: A: 极紫外光光刻 B: 电子束光刻 C: 离子束光刻 D: 浸润式光刻
利用电子枪发射具有一定能量的电子并聚焦成电子束,打在光刻胶上,使光刻胶发生反应,改变溶解度,完成曝光的方式是: A: 极紫外光光刻 B: 电子束光刻 C: 离子束光刻 D: 浸润式光刻
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。 A: 正性光刻胶 B: 正性或负性光刻胶 C: 负性光刻胶 D: 电子束光刻胶
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。 A: 正性光刻胶 B: 正性或负性光刻胶 C: 负性光刻胶 D: 电子束光刻胶
三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性
三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
下面选项中哪个选项对电子束光刻的描述是错误的？（） A: 是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的一种光刻技术。 B: 电子束曝光的精度可以达到纳米量级，可以制作纳米结构器件。 C: 电子束曝光的曝光效率比较高。 D: 电子束光刻可用于集成光学器件，如光栅，光子晶体等。
下面选项中哪个选项对电子束光刻的描述是错误的？（） A: 是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的一种光刻技术。 B: 电子束曝光的精度可以达到纳米量级，可以制作纳米结构器件。 C: 电子束曝光的曝光效率比较高。 D: 电子束光刻可用于集成光学器件，如光栅，光子晶体等。
常见的几种先进光刻技术有:极紫外线(EUV)光刻技术、电子束光刻、X射线光刻、浸入式光刻技术、纳米压印技术。( )
常见的几种先进光刻技术有:极紫外线(EUV)光刻技术、电子束光刻、X射线光刻、浸入式光刻技术、纳米压印技术。( )
光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
根据曝光时所用的光源不同，光刻可分为光学光刻法，电子束光刻法，离子束光刻法和X射线光刻法。
根据曝光时所用的光源不同，光刻可分为光学光刻法，电子束光刻法，离子束光刻法和X射线光刻法。