为了得到任意的表面浓度、杂质数量和结深以及满足浓度梯度等要求，需要采用哪种扩散工艺？具体实施步骤？
举一反三
- 下面哪个选项不是扩散的工艺参数？（ ） A: 杂质的分布 B: 横向分布浓度 C: 表面浓度 D: 结深
- 以下不是扩散工艺的重要参数是： 。 A: 表面浓度 B: 杂质类型 C: 结深 D: 掺入杂质总量
- 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31 min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
- 有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。