证明函数 [tex=5.286x1.643]xlvBdcBpW0SXV9PksqLazF2Wun/tcSLMrrExQhO0EX0=[/tex] 在点 (0,0) 处连续但偏导数不存在。

某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev，则该晶体在1200K时的空位浓度为（ ）。 A: 1.179×10-17 B: 1.643×10-17 C: 2.699×10-17 D: 4.435×10-17

设 [tex=1.857x1.357]FpnfRCT+0V6mbr8PsHoVOg==[/tex], [tex=1.857x1.357]fwm6o3/l7z6HLY0uqqv3wg==[/tex] 任意次可微，且 [tex=3.714x1.357]1TnuIqeX7z8GzxFYLFUsDw==[/tex] .[tex=5.286x1.643]7J9nBMfYgdODToSx8+iBfkuGTUcYkUCj/itS4tJvYmA=[/tex].

下列广义积分中,值为[tex=0.929x2.357]cGp0ULq4x7T4HsC2gQTqk+UJv/83CDjgunzXe10FQ7w=[/tex]的是(     ).  未知类型：{'options': ['[tex=4.714x1.643]XyZcmlhqoYQGVTMuIZR3drrrT61OLy2lqwn36qFdURkKUF0Dw2qL+oktVfd4tjtW[/tex]', '[tex=5.143x1.643]XyZcmlhqoYQGVTMuIZR3du2XMkc+DD+7ZIDO85CPVPtPnVEzh/TIq1TZKMkLyDhm[/tex]', '[tex=5.286x1.643]XyZcmlhqoYQGVTMuIZR3djRXn3ZQ8XTRMKQ+oJhYTYQTK54NCFMy/638NrLSCXbI[/tex]', '[tex=4.714x1.643]XyZcmlhqoYQGVTMuIZR3dgMSkVNh9sZmLL9YnwomAqy142kSTKKPJL2h79dehYld[/tex]'], 'type': 102}

下列变量组（）是一个闭回路。 A: {x，x，x，x，x，x} B: {x，x，x，x，x} C: {x，x，x，x，x，x} D: {x，x，x，x，x，x}

以下谓词蕴含式正确的是（）: (∀x) (A(x)→B(x))=>( ∀x)A(x)→(∀x)B(x)|(∀x) (A(x)↔B(x))=>( ∀x)A(x)↔(∀x)B(x)|(∀x)A(x)∨(∀x)B(x)=>( ∀x) (A(x)∨B(x))|(∃x) (A(x)∧B(x))=>(∃x)A(x)∧(∃x)B(x)

以下谓词蕴含式正确的是（）: (?x) (A(x)→B(x))=>( ?x)A(x)→(?x)B(x)|(?x) (A(x)?B(x))=>( ?x)A(x)?(?x)B(x)|(?x)A(x)∨(?x)B(x)=>( ?x) (A(x)∨B(x))|(?x) (A(x)∧B(x))=>(?x)A(x)∧(?x)B(x)

下列式中错误的是： A: (∀x)(A(x)Úp(x)) Û (∀x)A(x)Ú (∀x)p(x) B: ($x)A(x) Ù p Û ($x)(A(x) Ù p ) C: (∀x)(A(x)ÚB(x)) Þ (∀x)A(x)Ú( ∀x)B(x) D: ($x)(A(x)ÙB(x)) Þ ($x)A(x)Ù( $x)B(x)

判断下列推证是否正确。 (∀x)(A(x)→B(x))⇔(∀x)(￢A(x)∨B(x)) ⇔(∀x)￢( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢(∃x) ( A(x)∧￢B(x) ) ⇔￢( (∃x)A(x)∧(∃x)￢B(x) ) ⇔￢(∃x)A(x)∨￢(∃x)￢B(x) ⇔￢(∃x)A(x)∨(∀x)B(x) ⇔(∃x)A(x)→(∀x)B(x)

以下谓词公式中，( )不是逻辑有效式。 A: ($x)(P(x)∧Q(x)) Þ ($x) P(x)∧($x) Q(x) B: ("x)(P(x)∧Q(x)) Þ ("x) P(x)∧("x) Q(x) C: ($x)(P(x)∧Q(x)) Û ($x) P(x)∧($x) Q(x) D: ("x)(P(x)∧Q(x)) Û ("x) P(x)∧("x) Q(x)